韩国芯片股上涨，铠侠和西部数据正在加快合并谈判，如何看待此次交易？

6.5EB闪存芯片被污染，4月份或将缺货

6.5EB闪存芯片被污染，4月份或将缺货
6.5EB闪存芯片被污染，4月份或将缺货，前不久的西数、铠侠位于日本的闪存工厂遭遇的污染事故正在一步步改变闪存及SSD市场，6.5EB闪存芯片被污染，4月份或将缺货。
6.5EB闪存芯片被污染，4月份或将缺货1
前不久西数、铠侠位于日本的闪存工厂遭遇材料污染事故，导致大量闪存报废，之前的预估是6.5EB容量的闪存受影响，不过现在来看损失远超于此，闪存芯片最快4月份就要缺货了。
西数及铠侠其位于日本四日市的工厂和北上工厂的合资工厂遭到了材料污染停产，只不过官方一直没有给出细节，此前传闻的6.5EB闪存损失也只是西数预估的数量。
现在存储行业的.公司宇瞻表示，受污染的主要在蚀刻材料上，导致整批芯片报废，从生产流程与瑕疵问题来看，受影响的NAND 芯片产出超出原先预期的6.5EB，4月开始基本上就没有东西能产出、或仅少量产出。
由于西数及铠侠分别是全球第四、第二大NAND供应商，这次的污染事故给业界带来的影响相当大，3月份闪存价格就会上扬，随着Q3季度旺季的来临，Q2季度价格也会上涨，导致上半年闪存面临缺货。
在事故发生之后，西数、美光等厂商已经开始涨价，包括合约及现货价，涨幅传闻超过25%。
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前不久的西数、铠侠位于日本的闪存工厂遭遇的污染事故正在一步步改变闪存及SSD市场，西数、美光等厂商已经涨价10%甚至更多，下游的SSD厂商也表示闪存很快就会供不应求，价格要急涨。
中国台湾媒体报道，存储厂商宇瞻总经理张家騉日前在财报会上表示，DRAM为缓慢走升，NAND flash在西数/铠侠事件后，第二季会急速转为供不应求，缺口会扩大很快、价格将急涨，目前看来，产业正向、需求成长，第一季是乐观看待。张家騉表示，本来今年大家看内存，无论是DRAM或NAND Flash都是缓跌，大家都只备刚好或安全库存，但因近期的突发状况，DRAM反弹的时间提早、NAND Flash更是变为将供不应求，所以现在公司会快速买库存，将库存水位往上升，满足客户需求。
2月初，西部数据及其合作伙伴铠侠表示：用于闪存芯片生产的材料污染，影响了日本两家工厂的生产。
铠侠表示，受影响的产品是一种名为3D flash的新型芯片，而传统2D NAND闪存的发货预计不会受到影响。
西数和铠侠表示，正努力使横海市和北上市的工厂尽快恢复正常运营。但此声明并没有给出何时恢复生产的详细日期。
西数也没有给出明确的损失，之前的说法是损失6.5EB闪存，但这肯定不是所有的损失，有分析称算上铠侠的那部分闪存损失，影响的闪存芯片总量大概是16EB，相当于全球一季市场消费量的约10%，这对全球闪存供应势必会有很大影响。
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据外媒报道，供应链透露，美光通知 NAND 芯片合约、现货价上涨。其中，合约价上涨 17% 至 18%，现货价涨幅达 25% 以上，这也是目前已知最高的涨价幅度！
业内人士指出，威腾、铠侠事件爆发后，同行涨价或暂停报价在预期内，但原本市场预期涨价在15%左右，美光涨幅超乎预期，现货价更大涨逾25%，凸显相关事件影响比预期大，后续涨价风潮恐一波接一波出现。
据了解，西部数据及其生产合作伙伴铠侠上周表示，由于闪存芯片生产材料受到污染，影响了日本两家工厂的生产。西部数据2月14日向客户发布通知，宣布立即上调所有 Flash 产品价格。但涨价幅度并未透露。
报道称，群联此前已传出提高报价 15% 的消息。美光 16 日并未正面回应大幅提高 NAND 芯片报价的消息，强调该公司运营未受工厂污染事件影响，将持续为客户提供最佳解决方案，与客户签订长期协议的策略有助于在产业不确定时期让客户对供应有信心。
据之前报道，本月9日由于用于生产闪存芯片的材料受到污染，导致西部数据和铠侠位于日本四日市的工厂和北上工厂的合资工厂停产，大量的晶圆报废，预计最快需等到 2022 年 3 月中才能恢复正常生产。西部数据当时就对外表示，这一事故将使其 3D NAND 闪存的产量至少减少 6.5EB（该数据尚不包含来自铠侠的损失）。
业界人士透露，由于合约价是每月商议，美光此次涨价几乎是实时生效，预计3月初可全面反映。
铠侠、西数两家的闪存产能占全球NAND芯片市占总和高达32%以上，直逼龙头三星。美光现为全球第五大NAND芯片供应商，市占率超过10%。污染事件之后，就有消息称群联第一时间调涨模组报价15%，其他厂商则暂停报价。

存储芯片龙头上市公司（中国存储芯片龙头股票排名）

存储芯片行业分析：
1、全球存储芯片行业竞争层次：全球存储芯片市场相对较为集中，其代表性企业分别为三星（韩国）、SK海力士（韩国）、美光（美国）、西部数据（美国）和铠侠（日本）等，我国的代表性企业中长江存储和长鑫存储已在部分领域实现突破，逐渐缩小与国外厂商的差距。
2、全球存储芯片市场份额：从细分产品分析，NANDFlash和DRAM占据市场份额较大，达到95%左右，当前存储芯片三大主流产品为NANDFlash、NORFlash和DRAM。全球2020年DRAM市场份额中三星42.71%、SK海力士29.27%和美光22.52%；NANDFlash由六大原厂组成的稳定市场格局，分别为英特尔、铠侠、SK海力士、三星、美光、西部数据；NORFlash市场占有率分别为华邦25.4%、旺宏22.5%和兆易创新15.6%。
3、全球存储芯片市场集中度：从三大主流产品市场来看，2020年DRAM为98.48%、NANDFlash为89.17%和NORFlash为78.4%。
4、全球存储芯片竞争状态：当前由于存储芯片行业竞争者数量较少，导致行业出现高度集中。从存储芯片行业上下游看，该行业被国际巨头垄断，上下游供应商和购买者议价能力较高。
芯片指数图
如图指数已经经过一段时间的向下通道调整，当前已尝试性突破上轨通道并进行回踩确认，如上图所分析，我们可以依据上图的分析对该板块的个股进行制定交易策略。我们可以在当前指数价位先介入部分仓位，如果后期指数进行继续回踩，我们可以在最上一条蓝色线附近进行个股的补仓交易，止损我们可以设置在上图最下一条蓝色线下方。
一、中芯国际
1、全球领先和国内第一的集成电路晶圆代工企业
2、技术分析：
如上图所示不难看出，该股前段时间有一段冲高放量的过程，这可以说明该股票已经有一部分市场资金介入其中。当前股价已回调至蓝色水平支撑线附近，笔者的建议是可以在当前股价附近介入一部分初始头寸，然后把止损设置在绿线下方，随后等待股价突破上方蓝色压力线时再加大持有的仓位。
二、兆易创新
1、国内存储龙头，是A股中技术最为先进的存储厂商
2、技术分析：
如上图我们同样很容易看出该股票当前的成交量相当巨大，市场活跃度非常高。当前股价已突破最上端绿色线，我们可以在当前价位采取介入部分资金的方式，随后等待股价后期的发展，如果股价继续向下调整，我们可以在最下一条绿色线附近进行补仓，风险我们可以控制在红线水平支撑线下方。
三、紫光国微
1、国内电信智能卡芯片第一供应商
2、技术分析：
该股当前处在小区间震荡阶段，我们可以尝试性介入小仓位进行仓位，如果股价向上突破上方红色压力线，我们可以对其加大持有头寸，如果股价继续向下调整，我们可以在中间红色线附近进行补仓并把止损设置在黄线下方。
四、普冉股份
1、国内NORFlash和EEPROM的主要供应商之一
2、技术分析：
该股票为一只新股，当前处在阶段性底部筑底阶段并且尝试性突破小平台高位，如上图所示，此时我们可以先介入部分头寸进行参与，等待股价后期的发展，如果股价后期继续进行回踩，我们可以选择在中间黄色线附近进行补仓并把风险控制在紫线下方附近。
五、聚辰股份
1、全球领先的EEPROM芯片设计企业
2、技术分析：
股价当前回踩至中间紫色线附近受到了小支撑，我们可以在当前价格先介入一部分仓位进行参与并把防线控制在最低紫色线下方附近，后期等待股价向上突破最高紫色线时在进行加仓。
六、澜起科技
1、全球可提供从DDR2到DDR4内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商之一
2、技术分析：
股价当前处在震荡区间运动并离当前最近的支撑线有一定的高度，此时我们可以先选择观望，等待股价进行回踩并在中间紫色线附近进行介入，止损我们依然是最低紫色线下方附近，或者等待股价突破上方紫色水平压力线再进行介入或加仓。
七、北京君正(300223)
1、视频编解码ASIC及嵌入式芯片领先企业
2、技术分析：
股价经过一段时间的向下调整并回踩至上图最高紫色线附近，如上图所示，我们可以在当前价位选择介入部分头寸，如果股价继续向下回踩，我们可以在最高紫线位进行补仓，同时我们可以把止损就设置在最低紫色支撑线下方。
以上内容纯属笔者个人观点，仅供参考！！！